• 官方数据:什么是存储时间?多少会影响内存性能?

    电脑杂谈  发布时间:2020-11-13 16:02:00  来源:网络整理

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    内存时序与内存频率相同,两者均表示内存的性能。

    内存序列由4个数字组成,以短划线分隔,例如16-18-18-38

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    这些数字表示等待时间,这是内存的响应时间。当内存从CPU接收指令时,通常需要几个时钟周期来处理它,例如访问某个数据。因此,时间越短,内存性能越好。

    频率和定时共同决定了内存可以运行的速度。但是,与频率相比,时间序列由四个数字组成,每个数字具有不同的含义,这自然会使理解更加复杂。

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    与存储序列相对应的参数为“ CL-tRCD-tRP-tRAS”,单位为时间段,含义如下:

    CL(CASLatency):列地址访问的延迟时间是序列中最重要的参数。

    tRCD(RASto CAS延迟):从存储器行地址到列地址的延迟时间;

    tRP(RAS预充电时间):存储器行地址选通预充电时间;

    tRAS(RAS活动时间):激活行地址的时间。

    阅读它们后的含义很困惑吗?没关系,让我给你举个例子。

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    我们可以像上面想象的那样将数据存储在内存中的位置。每个正方形存储不同的数据。 CPU需要什么数据,它将数据发送到内存,例如,所需的位置是。

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    接下来,存储器必须首先确定数据所在的行,因此时序的第二个参数tRCD表示该时间,这意味着在存储器控制器接收到行指令之后需要多长时间访问该行。

    由于此行包含多个数据,因此内存不能是CPU需要查找的内存,因此tRCD的值是一个估计值。这就是为什么对此值进行小的更改不会影响内存性能的原因。

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    内存确定行之后,如果要查找数据,则还必须确定列。然后时序序列的第一个数字,即CL(CAS),指示在确定访问特定列数(时间段)的行数之后,存储器必须等待多长时间。

    行和列将不可避免地产生交集,这意味着在确定行和列的数量之后,可以准确地找到目标数据。因此,CL是准确值。任何更改都会影响目标数据的位置,因此最关键的参数对内存性能起着决定性的作用。

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    内存时序的第三个参数tRP是,如果我们确定了一行,则需要确定另一行的等待时间(时间段)。

    第四个参数tRAS可以简单地理解为在内存中写入或读取数据的时间,通常接近前三个参数的总和。

    因此,在确保稳定性的前提下,内存时序越短越好。

    那么,时序会在多大程度上影响内存性能?

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    我们做了一个测试,在保持内存频率恒定的同时,随着时间的减少,内存性能也越来越强。

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    相反,在更改时序后,内存延迟的变化比内存读写速度的变化更为明显,这也表明时序的影响集中在延迟上。

    现在,关于时间安排,你明白吗?

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      • 侯乐乐
        侯乐乐

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